金泰克LPDDR3/LPDDR4内存新增特性解读-华强智慧网
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      金泰克LPDDR3/LPDDR4内存新增特性解读
      2018-10-10  佚名

        此前金泰克正式公布了两款嵌入式产品,用于移动设备的内存芯片,LPDDR3-1866与LPDDR4-3200,两款产品制程均为20纳米。

      金泰克LPDDR3/LPDDR4内存新增特性解读

        从传统LPDDR产品当中来看,LPDDR3内存芯片支持POP堆叠封装和独立封装以满足不同类型移动设备的需要,如Tablet/Pad、eBook以及Smart Phone等。除延续更早的LPDDR2芯片的能效特性和信号界面以外,还重点加入了Write-Leveling and CA Training(写入均衡与指令地址调训以及 On Die Termination(片内终结器/ODT)技术。

        在之后金泰克全新20纳米LPDDR4内存,在性能和集成度上都比20纳米级LPDDR3内存提高一倍。更快速的RAM意味着应用的启动速度更快,这对于在执行多任务时启动重量级应用至关重要。

        由于输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps,是通常使用的DDR3 DRAM的两倍,新推出的8Gb LPDDR4内存可以支持超高清影像的拍摄和播放,并能持续拍摄2000万像素的高清照片。

        目前,大多数主流手机用的均为LPDDR4内存,当然还有一些CP值高的手机用的还是上一代LPDDR3内存。与LPDDR3内存芯片相比,LPDDR4的运行电压降为1.1伏,堪称适用于大屏幕智能手机和平板电脑、高性能网络系统的低功耗存储解决方案。以2GB内存封装为例,比起基于4Gb/8Gb LPDDR3芯片的2GB内存封装,基于8Gb LPDDR4芯片的2GB内存封装因运行电压的降低和传输速度的提升,最大可节省40%的耗电量。

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